Рост и оптические свойства тиогаллата ртути
Валерий Бадиков, С.М. Пшеничников, Н.Д. Устинов
© 1979 Американский институт физики
Советский журнал квантовой электроники, том 9, номер 8
США, конец девяностых
Синтез и рост кристаллов HgGa2S4.
П. Г. Шунеманн Т. М. Поллак
Сандерс, компания Lockheed Martin, MER15-1813, P.O. Box 868,
Нашуа, Нью-Гэмпшир 03061-0868, США
Доступно онлайн 19 мая 1998 г.
Тиогаллат ртути, HgGa2S4, представляет собой экзотический
полупроводник..., который
предлагает комбинацию привлекательных свойств для нелинейного
оптического преобразования частоты в инфракрасном диапазоне.
Однако синтез этого соединения осложняется высоким давлением пара,
связанным с ртутью и серой, и предыдущие ...
Кристаллизация из богатой HgS композиции, не дала однофазного материала,
но небольшие кристаллы HgGa2S4 с высоким оптическим качеством размером
1 × 2,5 × 5 мм могли быть извлечены из...