Я вот под 11 часов ночи задался очень интересным вопросом
Как изменяется концентрация неосновных носителей заряда в
полупроводнике на участке истощения примеси при увеличении
температуры?
По идее не изменится т.к на участке истощения примеси концентрация постоянная, но я сомневаюсь