Первую в мире оперативную память нового поколения представила SK Hynix 6 октября 2020 года. Эта память обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт (что в 1,8 раза превышает базовые показатели DDR4), напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность; реализована поддержка коррекции ошибок ECC и утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надёжность работы приложений возрастёт в 20 раз. Ёмкость модулей памяти DDR5 от SK hynix может достигать 256 Гбайт при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV).[15]