Да что-то непонятно всё равно: включаем питание, емкость разряжена и через R заряжается. Следовательно, силовой ключ, который принимает на себя ESD заряд, открыт, и коротит питание на себя. Впечатление, что есть какая-то хитрость с порогом открытия или ещё чего-то не хватает.
Вообще схема не очень. От входной амплитуды будет меняться входные параметры усилителя
Да похоже все они АРУ не очень, если такие делать на MOSFET или, особенно, JFET с их разбросом в три сарая, те что очень - на переключаемых/цифровых резисторах
Да похоже все они АРУ не очень, если такие делать на MOSFET или, особенно, JFET с их разбросом в три сарая, те что очень - на переключаемых/цифровых резисторах
Привет. Вопрос про NAND. Память на выходе с завода изготовителя содержит bad block table. Необходимо организовать некоторый входной контроль качества новых чипов памяти. Есть ли у кого от опыт на тему, как коррелирует количество этих bad block с качеством? При каком количестве bad block стоит начать беспокоиться? и стоит ли вообще?